Lançamento de novo produto – Matriz de diodo laser multipico com colimação de eixo rápido

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Introdução

Com rápidos avanços na teoria do laser semicondutor, materiais, processos de fabricação e tecnologias de embalagem, juntamente com melhorias contínuas em potência, eficiência e vida útil, os lasers semicondutores de alta potência são cada vez mais usados ​​como fontes de luz direta ou de bomba. Esses lasers não são apenas amplamente aplicados em processamento de laser, tratamentos médicos e tecnologias de exibição, mas também são cruciais na comunicação óptica espacial, detecção atmosférica, LIDAR e reconhecimento de alvos. Lasers semicondutores de alta potência são fundamentais no desenvolvimento de diversas indústrias de alta tecnologia e representam um ponto competitivo estratégico entre as nações desenvolvidas.

 

Laser empilhado de semicondutores multipico com colimação de eixo rápido

Como fontes de bomba central para lasers de estado sólido e de fibra, os lasers semicondutores exibem uma mudança de comprimento de onda em direção ao espectro vermelho à medida que as temperaturas de trabalho aumentam, normalmente em 0,2-0,3 nm/°C. Este desvio pode levar a uma incompatibilidade entre as linhas de emissão dos LDs e as linhas de absorção do meio de ganho sólido, diminuindo o coeficiente de absorção e reduzindo significativamente a eficiência de saída do laser. Normalmente, sistemas complexos de controle de temperatura são usados ​​para resfriar os lasers, o que aumenta o tamanho do sistema e o consumo de energia. Para atender às demandas de miniaturização em aplicações como direção autônoma, alcance de laser e LIDAR, nossa empresa lançou a série de arrays empilhados refrigerados condutivamente e multipicos LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1. Ao expandir o número de linhas de emissão LD, este produto mantém a absorção estável pelo meio de ganho sólido em uma ampla faixa de temperatura, reduzindo a pressão nos sistemas de controle de temperatura e diminuindo o tamanho do laser e o consumo de energia, garantindo ao mesmo tempo uma alta produção de energia. Aproveitando sistemas avançados de teste de chip nu, ligação de coalescência a vácuo, material de interface e engenharia de fusão e gerenciamento térmico transitório, nossa empresa pode obter controle preciso de vários picos, alta eficiência, gerenciamento térmico avançado e garantir confiabilidade e vida útil de longo prazo de nossa matriz produtos.

Novo produto de matriz de diodo laser FAC

Figura 1 Diagrama do produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Recursos do produto

Emissão controlável de múltiplos picos Como fonte de bomba para lasers de estado sólido, este produto inovador foi desenvolvido para expandir a faixa de temperatura operacional estável e simplificar o sistema de gerenciamento térmico do laser em meio às tendências de miniaturização do laser semicondutor. Com nosso avançado sistema de teste de chip nu, podemos selecionar com precisão os comprimentos de onda e a potência do chip de barra, permitindo o controle sobre a faixa de comprimento de onda do produto, espaçamento e vários picos controláveis ​​(≥2 picos), o que amplia a faixa de temperatura operacional e estabiliza a absorção da bomba.

Figura 2 Espectrograma do produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Figura 2 Espectrograma do produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Compressão de eixo rápido

Este produto utiliza lentes micro-ópticas para compressão de eixo rápido, adaptando o ângulo de divergência de eixo rápido de acordo com requisitos específicos para melhorar a qualidade do feixe. Nosso sistema de colimação online de eixo rápido permite monitoramento e ajuste em tempo real durante o processo de compressão, garantindo que o perfil do spot se adapte bem às mudanças de temperatura ambiente, com uma variação de <12%.

Projeto Modular

Este produto combina precisão e praticidade em seu design. Caracterizado pela sua aparência compacta e aerodinâmica, oferece alta flexibilidade no uso prático. Sua estrutura robusta e durável e componentes de alta confiabilidade garantem uma operação estável a longo prazo. O design modular permite personalização flexível para atender às necessidades do cliente, incluindo personalização de comprimento de onda, espaçamento de emissão e compressão, tornando o produto versátil e confiável.

Tecnologia de gerenciamento térmico

Para o produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1, utilizamos materiais de alta condutividade térmica compatíveis com o CTE da barra, garantindo consistência do material e excelente dissipação de calor. Métodos de elementos finitos são empregados para simular e calcular o campo térmico do dispositivo, combinando efetivamente simulações térmicas transitórias e de estado estacionário para controlar melhor as variações de temperatura.

Figura 3 Simulação térmica do produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Figura 3 Simulação térmica do produto LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Controle de Processo Este modelo utiliza tecnologia tradicional de soldagem por solda dura. Através do controle do processo, garante ótima dissipação de calor dentro do espaçamento definido, não só mantendo a funcionalidade do produto, mas também garantindo sua segurança e durabilidade.

Especificações do produto

O produto apresenta comprimentos de onda multipico controláveis, tamanho compacto, peso leve, alta eficiência de conversão eletro-óptica, alta confiabilidade e longa vida útil. Nosso mais recente laser de barra de matriz empilhada semicondutora multipico, como um laser semicondutor multipico, garante que cada pico de comprimento de onda seja claramente visível. Ele pode ser personalizado com precisão de acordo com as necessidades específicas do cliente em termos de comprimento de onda, espaçamento, contagem de barras e potência de saída, demonstrando seus recursos de configuração flexíveis. O design modular se adapta a uma ampla gama de ambientes de aplicação e diferentes combinações de módulos podem atender às diversas necessidades do cliente.

 

Número do modelo LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1
Especificações Técnicas unidade valor
Modo de operação - QCW
Frequência operacional Hz 20
Largura de pulso us 200
Espaçamento entre barras mm 0. 73
Potência de pico por barra W 200
Número de barras - 20
Comprimento de onda central (a 25°C) nm A:798±2;B:802±2;C:806±2;D:810±2;E:814±2;
Ângulo de divergência de eixo rápido (FWHM) ° 2-5(típico)
Ângulo de divergência de eixo lento (FWHM) ° 8 (típico)
Modo de polarização - TE
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda nm/°C ≤0,28
Corrente operacional A ≤220
Corrente Limite A ≤25
Tensão/Barra de Operação V ≤2
Eficiência/Barra de Inclinação W/A ≥1,1
Eficiência de conversão % ≥55
Temperatura operacional °C -45~70
Temperatura de armazenamento °C -55~85
Vitalício (tiros) - ≥109

 

Desenho dimensional da aparência do produto:

Desenho dimensional da aparência do produto:

Desenho dimensional da aparência do produto:

Valores típicos de dados de teste são mostrados abaixo:

Valores típicos de dados de teste
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Horário da postagem: 10 de maio de 2024