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O avanço das tecnologias de laser semicondutor tem sido transformador, impulsionando melhorias notáveis no desempenho, na eficiência operacional e na durabilidade desses lasers. Versões de alta potência são cada vez mais empregadas em um amplo espectro de aplicações, desde usos comerciais na fabricação de lasers, dispositivos médicos terapêuticos e soluções de exibição visual até comunicações estratégicas, tanto terrestres quanto extraterrestres, e sistemas avançados de mira. Esses lasers sofisticados estão na vanguarda de diversos setores industriais de ponta e são o foco da rivalidade tecnológica global entre as principais nações.
Apresentando a próxima geração de conjuntos de barras de diodos laser.
Acompanhando a tendência de dispositivos menores e mais eficientes, nossa empresa tem o orgulho de apresentar oséries resfriadas por conduçãoLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Esta série representa um grande avanço, incorporando tecnologia de ponta em colagem por coalescência a vácuo, material de interface, tecnologia de fusão e gerenciamento térmico dinâmico para criar produtos altamente integrados, que operam com notável eficiência e apresentam controle térmico superior, garantindo confiabilidade contínua e maior vida útil.
Atendendo ao desafio do aumento da demanda por concentração de potência, impulsionada pela mudança generalizada na indústria em direção à miniaturização, desenvolvemos a unidade pioneira LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Este modelo inovador alcança uma redução drástica no espaçamento entre as barras de produtos convencionais, de 0,73 mm para 0,38 mm, comprimindo substancialmente a área de emissão da estrutura. Com capacidade para acomodar até 10 barras, esse aprimoramento amplifica a potência de saída do dispositivo para mais de 2000 W — representando um aumento de 92% na densidade de potência óptica em comparação com seus antecessores.
Design modular
Nosso modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 é o epítome da engenharia meticulosa, combinando funcionalidade com um design compacto que oferece versatilidade incomparável. Sua construção durável e o uso de componentes de alta qualidade garantem operação consistente com manutenção mínima, reduzindo interrupções operacionais e custos associados — uma vantagem crucial em setores como fabricação industrial e saúde.
Pioneira em soluções de gerenciamento térmico
O LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 utiliza materiais termicamente condutores superiores que se alinham com o coeficiente de expansão térmica (CTE) da barra, garantindo uniformidade e excelente dispersão de calor. Aplicamos análise de elementos finitos para prever e gerenciar o comportamento térmico do dispositivo, alcançando uma regulação precisa da temperatura por meio de uma combinação inovadora de modelagem térmica transiente e em regime permanente.
Controle de Processo Rigoroso
Aderindo a métodos tradicionais, porém eficazes, de soldagem com solda dura, nossos protocolos meticulosos de controle de processo mantêm a dissipação térmica ideal, salvaguardando a integridade operacional do produto, bem como sua segurança e longevidade.
Especificações do produto
O modelo LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 caracteriza-se pelo seu formato compacto, peso reduzido, eficiência de conversão eletro-óptica superior, robustez e longa vida útil.
| Parâmetro | Especificação |
| Modelo do produto | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Modo de operação | QCW |
| Frequência de pulso | ≤50 Hz |
| Largura do pulso | 200 dólares |
| Eficiência | ≤1% |
| Inclinação da barra | 0,38 mm |
| Potência por barra | 200 W |
| Número de barras | ～10 |
| Comprimento de onda central (25°C) | 808 nm |
| Largura Espectral | 2 nm |
| Largura espectral FWHM | ≤4 nm |
| 90% de largura de potência | ≤6 nm |
| Divergência do eixo rápido (FWHM) | 35 (típico) ° |
| Divergência do eixo lento (FWHM) | 8 (típico) ° |
| Método de resfriamento | TE |
| Coeficiente de temperatura de comprimento de onda | ≤0,28 nm/°C |
| Corrente operacional | ≤220 A |
| Corrente de limiar | ≤25 A |
| Tensão de operação | ≤2 V |
| Eficiência de inclinação por barra | ≥1,1 W/A |
| Eficiência de conversão | ≥55% |
| Temperatura de operação | -45~70 °C |
| Temperatura de armazenamento | -55~85 °C |
| Vida útil | ≥1×10⁹ tiros |
Soluções personalizadas de laser semicondutor compacto e de alta potência
Nossos conjuntos de lasers semicondutores de vanguarda, compactos e de alta potência, são projetados para serem altamente adaptáveis. Personalizáveis para atender às especificações individuais de cada cliente, incluindo número de barras, potência de saída e comprimento de onda, nossos produtos são uma prova do nosso compromisso em fornecer soluções versáteis e inovadoras. A estrutura modular dessas unidades garante que elas possam ser adaptadas a uma vasta gama de usos, atendendo a uma clientela diversificada. Nossa dedicação em soluções personalizadas pioneiras levou à criação de produtos em barra com densidade de potência incomparável, aprimorando a experiência do usuário de maneiras nunca antes possíveis.
Data da publicação: 25 de dezembro de 2023